FDA18N50
FDA18N50屬性
- 晶體管
- TO-3P-3,SC-65-3
- FAIRCHILD
FDA18N50描述
數據列表 FDA18N50;
標準包裝 450
包裝 管件
零件狀態 在售
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 UniFET™
規格
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 19A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 265 毫歐 @ 9.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 60nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2860pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 239W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-3PN
封裝/外殼 TO-3P-3,SC-65-3