IPP075N15N3G

IPP075N15N3G屬性

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IPP075N15N3G描述

制造商: Infineon
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 詳細信息
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-247-3
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 1200 V
集電極—射極飽和電壓: 1.7 V
柵極/發射極最大電壓: +/- 20 V
在25 C的連續集電極電流: 50 A
Pd-功率耗散: 349 W
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: TRENCHSTOP IGBT
封裝: Tube
高度: 20.95 mm
長度: 15.9 mm
寬度: 5.3 mm
商標: Infineon Technologies
柵極—射極漏泄電流: 200 nA
CNHTS: 8541290000
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 240
子類別: IGBTs
TARIC: 8541290000
商標名: TRENCHSTOP
零件號別名: IKW25N120T2FKSA1 IKW25N12T2XK SP000244960
單位重量: 38 g

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