DRV5012AEDMRT

DRV5012AEDMRT屬性

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DRV5012AEDMRT描述

Texas Instruments DRV5012超低功耗數字鎖存霍爾效應傳感器設有引腳可選的采樣率。當南極靠近封裝頂部，超出BOP閾值時，該器件驅動低電壓。輸出一直較低，直到應用北極且達到BRP閾值，導致輸出驅動高電壓。切換輸出需要南北極交替，集成滯后功能將BOP和BRP分離，確保可靠開關。DRV5012器件使用內部振蕩器對磁場進行采樣并更新輸出，采樣率為20Hz或2.5kHz，具體取決于SEL引腳。該雙帶寬功能讓系統可在功耗最低的情況下監視移動的變化。
•行業領先的低功耗
•引腳可選的采樣率 ◦SEL=低：20Hz，消耗1.3μA電流 (1.8V)
◦SEL =高：2.5kHz，消耗142μA電流 (1.8V)
•VCC工作電壓：1.65V至5.5V
•高磁性靈敏度：±2mT（典型值）
•堅固的滯后：4mT（典型值）
•推挽式CMOS輸出
•輕薄小巧的X2SON封裝
•工作溫度范圍：–40°C至+85°C
應用
•個人電子產品 ◦電視、平板電腦、手機
◦可穿戴設備
◦無人機、玩具
◦家電和廚房電器
•樓宇自動化 ◦HVAC、煙霧探測器
◦電池電壓和電流監控
◦溫度傳感
◦電池供電、便攜式儀器儀表

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