IPB081N06L3G

IPB081N06L3G屬性

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IPB081N06L3G描述

制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導通電阻: 6.7 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Qg-柵極電荷: 29 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
配置: Single
Pd-功率耗散: 79 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS 3
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
商標: Infineon Technologies
正向跨導 - 最小值: 35 S
CNHTS: 8541210000
下降時間: 7 ns
HTS Code: 8541290095
MXHTS: 85412999
產品類型: MOSFET
上升時間: 26 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
TARIC: 8541290000
典型關閉延遲時間: 37 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
零件號別名: IPB081N06L3GATMA1 IPB81N6L3GXT SP000398076
單位重量: 4 g

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