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BSC039N06NS

BSC039N06NS產品圖片
  • 發布時間:2019/1/5 10:15:05
  • 所屬類別:集成電路 » 集成電路
  • 公    司:深圳市宏輝電子科技有限公司

BSC039N06NS屬性

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BSC039N06NS描述

FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 19A(Ta),100A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 3.9 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.8V @ 36µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 27nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2000pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),69W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝
供應商器件封裝 PG-TDSON-8
封裝/外殼 8-PowerTDFN

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