IPP045N10N3G

發布時間：2019/1/9 10:05:43
所屬類別：集成電路 » 集成電路
公司：深圳市宏輝電子科技有限公司

IPP045N10N3G屬性

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用途：
規格：0
市場價格：
生產廠家：Infineon

IPP045N10N3G描述

FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 4.5 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 150µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 117nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 8410pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 214W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型通孔
供應商器件封裝 PG-TO220-3
封裝/外殼 TO-220-3

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