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SPP18P06PH

SPP18P06PH產品圖片
  • 發布時間:2019/1/9 10:32:26
  • 所屬類別:集成電路 » 集成電路
  • 公    司:深圳市宏輝電子科技有限公司

SPP18P06PH屬性

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  • Infineon

SPP18P06PH描述

FET 類型 P 溝道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 18.7A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 130 毫歐 @ 13.2A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 28nC @ 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 860pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 81.1W(Ta)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO220-3
封裝/外殼 TO-220-3

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