IPA65R190E6
- 發布時間：2019/1/9 10:47:34
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市宏輝電子科技有限公司
IPA65R190E6屬性
- QQ議價
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- Infineon
IPA65R190E6描述
FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 20.2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 190 毫歐 @ 7.3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 730µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 73nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1620pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 34W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 PG-TO220 整包
封裝/外殼 TO-220-3 整包
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