IPB60R099C6

發布時間：2019/1/9 10:49:21
所屬類別：集成電路 » 集成電路
公司：深圳市宏輝電子科技有限公司

IPB60R099C6屬性

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用途：
規格：0
市場價格：
生產廠家：Infineon

IPB60R099C6描述

FET 類型 N 溝道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 37.9A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 99 毫歐 @ 18.1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值） 119nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 2660pF @ 100V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 278W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
供應商器件封裝 D²PAK（TO-263AB）
封裝/外殼 TO-263-3，D²Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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