BC850BLT1G

BC850BLT1G屬性

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BC850BLT1G描述

制造商: ON Semiconductor
產品種類: 雙極晶體管 - 雙極結型晶體管(BJT)
RoHS: 詳細信息
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 45 V
集電極—基極電壓 VCBO: 50 V
發射極 - 基極電壓 VEBO: 6 V
集電極—射極飽和電壓: 0.6 V
最大直流電集電極電流: 0.1 A
增益帶寬產品fT: 100 MHz
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
系列: BC850BL
高度: 0.94 mm
長度: 2.9 mm
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
寬度: 1.3 mm
商標: ON Semiconductor
集電極連續電流: 0.1 A
直流集電極/Base Gain hfe Min: 200
Pd-功率耗散: 225 mW
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
工廠包裝數量: 3000
子類別: Transistors
單位重量: 8 mg

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