GMR B6
GMR B6屬性
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GMR B6描述
Infineon產品系列
型號 封裝 電源電壓(V) 方向精度 工作溫度 類型 描述
GMR B6 6-SMD +5~+7 180 -40~+150 磁場方向而非密度 惠斯通電橋全橋
GMR C6 6-SMD +5~+7 360 -40~+150 磁場方向而非密度 兩交叉半橋
Zetex產品系列
器件 封裝 電源電壓(V) 典型輸出電壓
(mV/V) 典型橋阻抗
(Ω) 靈敏度
(kA/m) 最大偏移電壓(mV/V) 內部磁體 描述
ZMY20 SOT223S 12V 20 1.7 4.7 ±1.0 否 輸出電壓與磁場強度成正比
ZMY20M SOT223S 12V 18 1.7 5.5 ±1.5 是 輸出電壓與磁場強度成正比