IKW40N120T2

IKW40N120T2屬性

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IKW40N120T2描述

IKW40N120T2 品牌IXYS艾賽斯
IKW40N120T2 封裝TO-247-3
IKW40N120T2原裝正品現貨供應
IKW40N120T2 詳細參數如下：

規格

IGBT 類型 溝道
電壓 - 集射極擊穿（最大值） 1200V
電流 - 集電極（Ic）（最大值） 75A
脈沖電流 - 集電極 (Icm) 160A
不同 Vge，Ic 時的 Vce（on） 2.2V @ 15V，40A
功率 - 最大值 480W
開關能量 5.25mJ
輸入類型 標準
柵極電荷 192nC
25°C 時 Td（開/關）值 33ns/314ns
測試條件 600V，40A，12 歐姆，15V
反向恢復時間（trr） 258ns
工作溫度 -40°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 通孔
封裝/外殼 TO-247-3
供應商器件封裝 PG-TO247-3


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準諧振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro IC在一個表面貼裝封裝內集成了初級電路、次級電路和反饋電路。在新發布的系列IKW40N120T2器件中，氮化鎵開關替換了IC初級的常規高壓硅晶體管，這可以降低電流流動期間的傳導損耗，并極大降低工作時的開關損耗。這最終有助于大幅降低電源的能耗，從而提高效率，使體積更小的InSOP-24D封裝提供更大的輸出功率。

　　新IC無需外圍元件即可提供精確IKW40N120T2的恒壓/恒流/恒功率，并輕松與接快充協議接口IC協同工作，因此適用于高效率反激式設計，例如，移動設備、機頂盒、顯示器、IKW40N120T2家電、網絡設備和游戲機的USB-PD和大電流充電器/適配器。InnoSwitch3-CP和InnoSwitch3-EP的電源特性可以通過改變硬件參數的方式進行配置，而InnoSwitch-Pro集成先進的數字接口，可通過IKW40N120T2軟件實現對恒壓和恒流的設置點、異常處理以及安全模式選項的控制。

　　Power Integrations總裁兼首席執行官Balu Balakrishnan表示：“在實現高效率和小尺寸方面，氮化鎵是一項明顯優于硅技術的關鍵技術。我們預計眾多電源應用會從硅晶體IKW40N120T2管快速轉換為氮化鎵。自從我們在18個月之前推出硅技術新器件以來，InnoSwitch3已成為離線開關電源IIKW40N120T2C市場當之無愧的技術先行者，隨著我們的反激式產品在效率和功率能力的提高，新的氮化鎵IC進一步鞏固了我們的優勢地位。”

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