SI2323DS-T1-E3

SI2323DS-T1-E3屬性

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SI2323DS-T1-E3描述

SI2323DS-T1-E3 MOSFET 20V 3.7A 0.039Ohm
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS:無鉛環保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 4.7 A
Rds On-漏源導通電阻: 39 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 400 mV
Qg-柵極電荷: 19 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
高度: 1.45 mm
長度: 2.9 mm
系列: SI2
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 1.6 mm
商標: Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值: 16 S
下降時間: 48 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 43 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 71 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
零件號別名: SI2323DS-E3
單位重量: 40 mg

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