STF6N65K3
STF6N65K3屬性
- 特價
- 場效應晶體管
- MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
- 特價
- ST
STF6N65K3描述
STF6N65K3 MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3
制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 5.4 A
Rds On-漏源導通電阻: 1.3 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
Qg-柵極電荷: 35 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: SuperMESH
封裝: Tube
系列: STF6N65K3
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: STMicroelectronics
下降時間: 22 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 15 ns
工廠包裝數量: 1000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 54 ns
典型接通延遲時間: 25 ns
單位重量: 330 mg
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