TK22V65X5,LQ
TK22V65X5,LQ屬性
- MOSFET
- DFN8x8-5
- Toshiba
TK22V65X5,LQ描述
封裝: DFN8x8-5
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 22 A
Rds On-漏源導通電阻: 170 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 50 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 180 W