SIHG20N50C-E3
- 發布時間：2020/3/28 13:21:02
- 所屬類別：三極管 » 其他三極管
- 公 司：深圳市川藍電子科技有限公司
- 聯 系 人：彭小姐
SIHG20N50C-E3屬性
- 特價
- 場效應晶體管
- MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
- 特價
- vishay
SIHG20N50C-E3描述
SIHG20N50C-E3 MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247AC-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導通電阻: 270 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 65 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
高度: 20.82 mm
長度: 15.87 mm
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5.31 mm
商標: Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值: 6.4 S
下降時間: 44 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 27 ns
工廠包裝數量: 500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 32 ns
典型接通延遲時間: 80 ns
單位重量: 38 g
深圳市川藍電子科技有限公司
網站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com
SIHG20N50C-E3相關產品
- STP11NK40ZFP
- STP11NK40ZFP MOSFET N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A 制造商: STMicroele
- SIS412DN-T1-GE3
- SIS412DN-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 制造商: Vishay
- SIS406DN-T1-GE3
- SIS406DN-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8 制造商: Vishay
- SIS402DN-T1-GE3
- SIS402DN-T1-GE3 MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 制造商: Vishay
- SIHG47N60S-E3
- SIHG47N60S-E3 MOSFET RECOMMENDED ALT 78 制造商: Vishay 產品種類: MOSFET &
- SIHG47N60E-GE3
- SIHG47N60E-GE3 MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC 制造商: Vishay 產品種類: M
- IR2184STRPBF
- IR2184STRPBF 門驅動器 HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V 1.4A 制造商: Infineon
- BAT54WS-7-F
- BAT54WS-7-F 肖特基二極管與整流器 30V 200mW SOD323-2 制造商: Diodes Incorporated
聯系方式
- 聯系人：彭小姐
- 地 址：廣東省深圳市福田區福華路嘉匯新匯商中心1020
- 郵 編：518031
- 電 話：0755-82522939
- 傳 真：0755-82522939
- 郵 箱：vicky@chuanlanelectronics.com
- Q Q：
QQ：2276945435 復制
QQ：2801615837 復制
- Q Q：
- 微信：
公網安備44030402000607
