DMN2004K-7

DMN2004K-7屬性

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DMN2004K-7描述

DMN2004K-7
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 630 mA
Rds On-漏源導通電阻: 550 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 500 mV
Qg-柵極電荷: 0.9 nC
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
高度: 1 mm
長度: 2.9 mm
產品: MOSFET Small Signal
系列: DMN2004
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 1.3 mm
商標: Diodes Incorporated
下降時間: 37.6 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 8.4 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 59.4 ns
典型接通延遲時間: 5.7 ns
單位重量: 8 mg
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