DMC3016LSD-13
DMC3016LSD-13屬性
- 特價
- MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nCv
- MOSFET 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC
- 特價
- Diodes
DMC3016LSD-13描述
DMC3016LSD-13
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
通道數量: 2 Channel
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 8.2 A, 6.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 15 mOhms, 30 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V
Qg-柵極電荷: 11.3 nC, 10.9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.2 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
系列: DMC3016
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商標: Diodes Incorporated
下降時間: 5.6 ns, 40.4 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 16.5 ns, 17.1 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 26.1 ns, 60.5 ns
典型接通延遲時間: 4.8 ns, 9.7 ns
單位重量: 74 mg
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