DMN2016UTS-13

發布時間：2020/3/28 13:21:02
所屬類別：三極管 » 其他三極管
公司：深圳市川藍電子科技有限公司
聯系人：彭小姐

DMN2016UTS-13屬性

本站價格：特價
用途：MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
規格：MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS
市場價格：特價
生產廠家：Diodes

DMN2016UTS-13描述

DMN2016UTS-13
制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TSSOP-8
通道數量: 2 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 8.58 A
Rds On-漏源導通電阻: 16.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 880 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
產品: MOSFET Small Signal
系列: DMN2016
晶體管類型: 2 N-Channel
商標: Diodes Incorporated
下降時間: 16.27 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 11.66 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 59.38 ns
典型接通延遲時間: 10.39 ns
單位重量: 158 mg
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