STGWT40H65DFB
- 發布時間：2020/3/28 13:21:02
- 所屬類別：三極管 » 其他三極管
- 公 司：深圳市川藍電子科技有限公司
- 聯 系 人：彭小姐
STGWT40H65DFB屬性
- 特價
- IGBT 晶體管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
- IGBT 晶體管 650V 40A HSpd trench gate field-stop IGBT
- 特價
- ST
STGWT40H65DFB描述
STGWT40H65DFB
制造商: STMicroelectronics
產品種類: IGBT 晶體管
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
封裝 / 箱體: TO-3P
安裝風格: Through Hole
配置: Single
集電極—發射極最大電壓 VCEO: 650 V
集電極—射極飽和電壓: 1.6 V
柵極/發射極最大電壓: 20 V
在25 C的連續集電極電流: 80 A
Pd-功率耗散: 283 W
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
系列: STGWT40H65DFB
封裝: Tube
集電極最大連續電流 Ic: 40 A
商標: STMicroelectronics
柵極—射極漏泄電流: 250 nA
產品類型: IGBT Transistors
工廠包裝數量: 300
子類別: IGBTs
單位重量: 6.756 g
網站：www.cldzbest.com
TEL:+86-0755-82522939
Phone:+86-13534204020
ATTN:胡先生
QQ:2801615837
E-mail:vicky@chuanlanelectronics.com
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聯系方式
- 聯系人：彭小姐
- 地 址：廣東省深圳市福田區福華路嘉匯新匯商中心1020
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