IPD50N04S4L-08
IPD50N04S4L-08屬性
- 特價
- MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
- MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
- 特價
- Infineon
IPD50N04S4L-08描述
IPD50N04S4L-08
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 50 A
Rds On-漏源導通電阻: 6.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V, - 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 46 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Reel
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
系列: OptiMOS-T2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 6.22 mm
商標: Infineon Technologies
下降時間: 18 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 8 ns
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 11 ns
典型接通延遲時間: 4 ns
零件號別名: IPD50N04S4L08ATMA1 IPD5N4S4L8XT SP000711456
單位重量: 4 g
網站:www.cldzbest.com
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ATTN:胡先生
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