SI2307BDS-T1-GE3

發布時間：2020/3/28 13:21:02
所屬類別：三極管 » 貼片/片式/SMD三極管
公司：深圳市川藍電子科技有限公司
聯系人：彭小姐

SI2307BDS-T1-GE3屬性

本站價格：特價
用途：MOSFET 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V
規格：MOSFET 30V 3.2A 1.25W 78mohm @ 10V
市場價格：特價
生產廠家：Vishay

SI2307BDS-T1-GE3描述

SI2307BDS-T1-GE3
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 2.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 78 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: - 3 V
Qg-柵極電荷: 9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 0.75 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
高度: 1.45 mm
長度: 2.9 mm
系列: SI2
晶體管類型: 1 P-Channel
寬度: 1.6 mm
商標: Vishay / Siliconix
正向跨導 - 最小值: 5 S
下降時間: 14 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 25 ns
典型接通延遲時間: 9 ns
零件號別名: SI2307BDS-GE3
單位重量: 8 mg
網站：www.cldzbest.com
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