SIHP30N60E-GE3
SIHP30N60E-GE3屬性
- 價優
- 晶體管
- TO-220
- 價優
- Vishay
SIHP30N60E-GE3描述
SIHP30N60E-GE3 假一罰十,原裝進口正品現貨熱賣,長期供貨。。。。。。。。。。。。一般信息
數據列表 SiHP30N60E;
標準包裝 1,000
包裝 管件
零件狀態 有源
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單
系列 E
其它名稱 SIHP30N60E-GE3CT
SIHP30N60E-GE3CT-ND
規格
漏源電壓(Vdss) 600V
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 130nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2600pF @ 100V
文檔
PCN 組件/產地 SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014
PCN 設計/規格 Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019
圖像和媒體
產品相片 TO-220AB
TO-220AB