MRF9060LR1

MRF9060LR1屬性

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MRF9060LR1描述

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產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: NXP
產品種類: 射頻金屬氧化物半導體場效應(RF MOSFET)晶體管
RoHS: 詳細信息
晶體管極性: N-Channel
技術: Si
Vds-漏源極擊穿電壓: 65 V
增益: 17 dB
輸出功率: 60 W
最小工作溫度: - 65 C
最大工作溫度: + 150 C
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: NI-360-3
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
配置: Single
高度: 4.45 mm
長度: 20.45 mm
工作頻率: 1 GHz
系列: MRF9060L
類型: RF Power MOSFET
寬度: 5.97 mm
商標: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
Pd-功率耗散: 159 W
產品類型: RF MOSFET Transistors
工廠包裝數量: 500
子類別: MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓: - 0.5 V, 15 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.9 V
單位重量: 3 g

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