FCB11N60TM
FCB11N60TM屬性
- 面議
- TO-263
- ON
FCB11N60TM描述
制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 11 A
Rds On-漏源導通電阻: 380 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: SuperFET
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 4.83 mm
長度: 10.67 mm
系列: FCB11N60
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.65 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
下降時間: 56 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 98 ns
工廠包裝數量: 800
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 119 ns
典型接通延遲時間: 34 ns
單位重量: 1.312 g