FDA28N50

FDA28N50屬性

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FDA28N50描述

制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-3PN-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 500 V
Id-連續漏極電流: 28 A
Rds On-漏源導通電阻: 155 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 30 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 310 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: UniFET
封裝: Tube
高度: 20.1 mm
長度: 16.2 mm
系列: FDA28N50
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 5 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
下降時間: 110 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 126 ns
工廠包裝數量: 450
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 210 ns
典型接通延遲時間: 56 ns
單位重量: 6.401 g

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