FDMS86180
FDMS86180屬性
- 面議
- PQFN-8
- ON
FDMS86180描述
制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: Power-56-8
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 151 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.4 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 84 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 138 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
系列: FDMS86180
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值: 144 S
下降時間: 7 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 12 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 30 ns
典型接通延遲時間: 24 ns