FDG6303N

FDG6303N屬性

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FDG6303N描述

制造商: ON Semiconductor
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-323-6
通道數量: 2 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 25 V
Id-連續漏極電流: 500 mA
Rds On-漏源導通電阻: 450 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: 8 V
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 300 mW
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
封裝: Reel
高度: 1.1 mm
長度: 2 mm
產品: MOSFET Small Signal
系列: FDG6303N
晶體管類型: 2 N-Channel
類型: FET
寬度: 1.25 mm
商標: ON Semiconductor / Fairchild
正向跨導 - 最小值: 1.45 S
下降時間: 8.5 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 8.5 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 17 ns
典型接通延遲時間: 3 ns
零件號別名: FDG6303N_NL
單位重量: 28 mg

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