SCT30N120

SCT30N120屬性

---

SCT30N120描述

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: SiC
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: HiP-247-3
通道數量: 1 Channel
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續漏極電流: 45 A
Rds On-漏源導通電阻: 80 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.5 V
Qg-柵極電荷: 105 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 200 C
Pd-功率耗散: 270 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商標名: HiP247Ã￠a??Â￠
封裝: Tube
系列: SCT30N120
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: STMicroelectronics
下降時間: 28 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 20 ns
工廠包裝數量: 600
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 45 ns
典型接通延遲時間: 19 ns
單位重量: 38 g

---

SCT30N120相關產品