NTS2101PT1G

NTS2101PT1G屬性

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NTS2101PT1G描述

制造商:ON Semiconductor
產品種類:MOSFET
RoHS: 無鉛環保
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-323-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:P-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:8 V
Id-連續漏極電流:1.4 A
Rds On-漏源導通電阻:100 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:450 mV
Qg-柵極電荷:6.4 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:290 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Reel
高度:0.85 mm
長度:2.1 mm
產品:MOSFET Small Signal
系列:NTS2101P
晶體管類型:1 P-Channel
類型:MOSFET
寬度:1.24 mm
商標:ON Semiconductor
下降時間:18 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:15 ns
工廠包裝數量:3000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:26 ns
典型接通延遲時間:6.2 ns
單位重量:5 mg


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