SI2336DS-T1-GE3

SI2336DS-T1-GE3屬性

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SI2336DS-T1-GE3描述

CMHD4448TR
SI2302DS-T1-E3
SI2351DS-T1-GE3
SI2336DS-T1-GE3
Si2318DS-T1-GE3
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SI2343DS-T1-GE3
SI2311DS-T1-GE3
SI2341DS-T1-GE3
SI2337DS-T1-GE3
SI2331DS-T1-GE3
SI2325DS-T1-GE3
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SI3495DV-T1-GE3
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SI2315DS-T1-E3
APM2054NDC-TRL
MC7321
MA381
AZHW151R.RDG
規格
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5.2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 1.8V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 42 毫歐 @ 3.8A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 8V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 560pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.25W（Ta），1.8W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 SOT-23-3（TO-236）
封裝/外殼 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TONY.ZOU（鄒澤凱）
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