PE43711B-Z
PE43711B-Z屬性
- 衰減器芯片
- 衰減器芯片
- PSEMI
PE43711B-Z描述
PE43711B-Z : 衰減器芯片。公司優勢庫存。
深圳市大唐盛世半導體有限公司
手 機:17727572380(程R) 。13008842056(張R)
電 話:0755-83226739
Q Q:626839837。3160836686
特征
•0.25 dB,0.5 dB和
1 dB至31.75 dB
•無毛刺的衰減狀態轉換
•單調性:0.25 dB(最高4GHz),0.5 dB(最高)
5 GHz和1 dB高達6 GHz
•擴展的+105°C工作溫度
•并行和串行編程接口
•包裝— 24引腳4×4 mm QFN
應用領域
•3G / 4G無線基礎設施
•陸地移動無線電(LMR)系統
•點對點通訊系統
產品描述
PE43711是增強了50ΩHaRP™技術的7位RF數字步進衰減器(DSA),它支持
頻率范圍從9 kHz到6 GHz。它具有無干擾的衰減狀態轉換和支持
1.8V控制電壓和+105°C的擴展工作溫度范圍,使該器件非常適合
許多寬帶無線應用。
PE43711是PE43502,PE43503,PE43602和PE43702的引腳兼容升級版本。一個
集成的數字控制接口支持串行和并行編程的衰減,包括
上電時對初始衰減狀態進行編程的能力。
PE43711覆蓋31.75 dB的衰減范圍,步長為0.25 dB,0.5 dB和1 dB。它有能力
在4 GHz時保持0.25 dB單調性,在5 GHz時保持0.5 dB單調性,而1 dB單調性
到6 GHz。此外,如果RF端口上存在0 VDC,則無需外部隔離電容器。
PE43711采用Peregrine的UltraCMOS®工藝制造,這是藍寶石襯底上的絕緣體上硅(SOI)技術的專利變體。
Peregrine的HaRP技術增強功能提供了高線性度和出色的諧波性能。 它是一個
UltraCMOS工藝的創新功能,可在經濟和經濟的情況下提供GaAs的性能
集成常規CMOS。
絕對最大額定值
超過表1中列出的絕對最大額定值可能會造成永久性損壞。 操作應
限于表2中的限制。
延長期限可能會降低可靠性。
防靜電注意事項
處理此UltraCMOS器件時,請遵循與其他任何ESD敏感器件相同的預防措施。
盡管此設備包含保護其免受ESD損壞的電路,但仍應采取預防措施以防止靜電損壞。
避免超過表1中指定的額定值。
閂鎖免疫
與傳統的CMOS器件不同,UltraCMOS器件不受閂鎖影響。