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DMP1022UFDE-7

DMP1022UFDE-7產品圖片
  • 發布時間:2020/5/11 14:05:11
  • 所屬類別:集成電路 » 集成電路
  • 公    司:深圳市博金凱科技有限公司
  • 聯 系 人:何
  • DMP1022UFDE-7供應商

DMP1022UFDE-7屬性

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DMP1022UFDE-7描述

FET 類型 P 通道
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.2V,4.5V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 16 毫歐 @ 8.2A,4.5V
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 12V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 9.1A(Ta)
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 42.6nC @ 5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250µA
4V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 660mW(Ta)
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 2953pF @
工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 U-DFN2020-6(E 類)
封裝/外殼 6-UDFN 裸露焊盤
SN74CBTLV3253DR
SN74HC165N
SN74HC273N
SN74HC373N
SN74HC573N
RC0603FR-07510RL
RC0805FR-0727RL
RC0805FR-073R9L
RC0805FR-07100RL
RC0603JR-0715KL
RC0603FR-071K33L
TL432BQDBZR
MAX1165BCUI-+
7111-RC
OPB755TZ
350699-1
67503-1230
1K0.5W
R9W316R1AS
AP2553AW6-7
BC847BT-7-F
BC847BT-7-F
ESD9X5.0ST5G
DMC2400UV-7
DMG1013T-7
DMG1013T-7
0805W8F158JT5E
0603B104K500CT
AP2210K-3.3TRG1
AP2204K-ADJTRG1
DMP1022UFDE-7
RT7296AGJ8F
XC9221A095MR-G
NCP15XH103J03RC
EKY-101ETD470MJC5S
MST701-LF
MST715C-LF
MSR2102
CX25843
STK1160
STK2365
S29AL016D70TFI020
BU4094BCFV-E2
SST39VF1601-70-4C-EKE
LM393ADGKRG4
2SA1774EBTLQ
3SK320
SY50282FAC
SY50133ZFAC
SY50133Z1FAC
SYR837PKC
SYR838PKC
SYR827PKC
SYR828PKC
SY6981QDC
SY6983QDC
SY6984QDC
SY6875ADBC
SY8008CAAC
SY8089AAAC
SY8009AAAC
SY8006AAC
SY8088AAC
SY7101ABC
SY7200AABC
SYT020ABC
SY6280AAC
SY6280AAAC
SY8205DNC
SY7201ABC
SY7152ABC
SY5814AABC
SY5814A1ABC
SY6288E1AAC
SY6288CAAC
SY6288DAAC
SY6288AAAC
SY7088DGC
SY7208LABC
SY7208ABC
SY7208CABC
SY7311AADC
SY7301AADC
SY8031AAC
SY8105ADC
SY8120B1ABC
SY8501FCC
SY8003ADFC
SY8805ADFC
SY8113ADC
SY8113BADC
SY8063DBC
SY8205FCC
SY8121BABC
SY8022LFCC
SY8751FCC
SY8722AFCC
SY5018BFAC
STR912FAW44X6
AK4556VT-E2
ADUM142E1WBRWZ
SSM2604CPZ
MAX3232IPWR
DMP1022UFDE-7
AP2210K-3.3TRG1
TL432BQDBZR
MCP73832T-2ATI/OT
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AP2210K-3.3TRG1
電壓 - 輸出(最小值/固定) 3.3V  電壓 - 輸出(最大值) -  輸出配置 正  輸出類型 固定  穩壓器數
TL432BQDBZR
參考類型 分流器  電壓 - 輸出(最小值/固定) 2.5V  電壓 - 輸出(最大值) 36V  電流 - 輸出 100mA&n
BC847BT-7-F
晶體管類型 NPN  電流 - 集電極(Ic)(最大值) 100mA  電流 - 集電極截止(最大值) 15nA(ICBO)  不
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來自國際上的第五代六氟乙烷利用先進的加工技術,達到極低的每個硅區的電阻。這一優點,再加上HEXFET功率MOSFET眾所周知的快速開關速度和堅固的器件設計,為設
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