FDC653N

FDC653N屬性

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FDC653N描述

TA75S558F
1SS226(TE85L
RB715F
FDV304P
FDC653N
RT9941GQW
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T6075NL
78148
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RV5C338A-E2
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300561W075J
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SI7860ADP-T1-E3
MV5F164
K4N1G164QE-HC20
NJM4558M(TE3)
NJM4558D
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TLP531G
SJPD-L5
AX3113SA
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TC7WB126FK(TE85L,F)
UPD9067GB-Y03-8ES-A
CA6808F
K9G4G08U0A-IIB0
S87C751-4A28
LM25576MHX/NOPB
MT41K128M16JT-125:K
BL-HZ334C-L21-TRA
FDT458P
PTC6524-LQ
LB11990FN-TFM
規格
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 35 毫歐 @ 5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 17nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 350pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Ta）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 SuperSOT™-6
封裝/外殼 SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
TONY.ZOU（鄒澤凱）
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