SI4162DY-T1-GE3

SI4162DY-T1-GE3屬性

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SI4162DY-T1-GE3描述

M62301SP
WM7110IMS
BAV103-GS18
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SI4162DY-T1-GE3
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PE-65726T
EM488M1644VTB-7F
H5TQ2G63DFR
規格
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 19.3A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 7.9 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 30nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1155pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），5W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 8-SO
封裝/外殼 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
TONY.ZOU（鄒澤凱）
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