IPB016N06L3G
IPB016N06L3G屬性
- 晶體管表面貼裝型-N-通道
- TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片)
IPB016N06L3G描述
PDZ15B
PER1544QK
TC3085-TQ64-EPG
TC-8827
TC-8827
MPXV4006GC6U
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IPB016N06L3G
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BD9204F
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IRF8736TRPBF
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AA38
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XIO1100ZGB
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H1081
BA028LBSG-TR
88F6510-Z2-BKT2C080
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XC6223H151MR-G
PDK22C10A
ADL5542ACPZ-R7
TLP115A(TPL)
APE8872M
APE8873M
MB90568
SC1202CSTTRT
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RTL8316B
PM25L0512B-SCE
MC9S08GB60ACFUE
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S29PL064J60BFI120
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DZ4J036K0R
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OT3368FP
ICS83PN156DKILF
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STSJ60NH3LL
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SPP20N60CFD
DMPVCX2074UT60R
DSA7504R0L
IM013CA13C2
EEFSD0E221ER
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G674L240T1U
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MB95F634KNPMC-G-SNE2
MAX1533ETJ+T
TLK1101ERGPR
AME8816CEHAADJZ
AME8818AEET120Z
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AME8816CEHAADJ
AME8815AEGT250Z
AME8815AEGT330
S-80822CLNB-B6HT2G
S-80823ALNP-EDL
規格
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 60V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時) 180A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) 1.6 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 196μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) 166nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) 28000pF @ 30V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 250W(Tc)
工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PG-TO263-7
封裝/外殼 TO-263-7,D2Pak(6 引線 + 接片)
TONY.ZOU(鄒澤凱)
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