FDD6512A

FDD6512A屬性

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FDD6512A描述

MC68HC705C8ACFN
MC68HC711K4CFN3
APE8805GR-25
FDD6512A
FDD6512A
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MAX4163EBL-T
MOC3021
SPA07N60C3
SPA08N80C3
規格
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時） 10.7A（Ta），36A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（最大值） 21 毫歐 @ 10.7A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 （Qg）（最大值） 19nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值） 1082pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），43W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 D-PAK（TO-252）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
TONY.ZOU（鄒澤凱）
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