BVSS123LT1G
- 發布時間：2020/6/22 14:46:28
- 所屬類別：集成電路 » 集成電路
- 公 司：深圳市博浩宇科技有限公司
BVSS123LT1G屬性
- MOSFET
- Cut Tape
- ON Semiconductor
BVSS123LT1G描述
產品屬性屬性值搜索類似
制造商:ON Semiconductor
產品種類:MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-23-3
晶體管極性:N-Channel
通道數量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續漏極電流:170 mA
Rds On-漏源導通電阻:6 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:1.6 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:225 mW
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
配置:Single
系列:BSS123L
晶體管類型:1 N-Channel
商標:ON Semiconductor
正向跨導 - 最小值:80 S
產品類型:MOSFET
工廠包裝數量:3000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:40 ns
典型接通延遲時間:20 ns
單位重量:8 mg
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公網安備44030402000607
