BSC019N02KSG

BSC019N02KSG屬性

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BSC019N02KSG描述

GS3800-808-001AAB1
BSL211SP
BSC029N025SG
BSZ050N03MSG
BSC030N03LSG
BSC019N02KSG
BSC079N10NS
BSM50GB120DLC
EP1S25F1020C7
GT48350-PBN1
GT48350-PBN1
AWT6332RM27Q7
HFCT5208EM
HFCT5201B
HFCT5259EMS
HFCT5205B
DS75176BMX
HC230F1020BA
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EP2S90F1020I4
EP2S60F1020C4
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MAX1602EEE
BF622
CY7C1297F-117AC
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LXT9781HC
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LXT9781HC
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74HC4060M
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5AGTFC7H3F35I3NAD
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PM6658
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SMBJ6.0A
78M05
78M05G
74HC4040D
74HC4053D
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S9014C
GRM32ER71H475KA88L
S9014C
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74HCT74A
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PEB20591HV2.2
74ALVC245PW
74ALVC16244
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S5T0157X01-D0
74ALVC16244
74ALVC164245DGGR
74ALVCH16244
74ALVC164245DGG
DS1848E-010
DS1848
DS1848E-010+
ADS58C20I
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ADS58C23IPFP
DS1848E-010
DS1848E-010+
DS1848E-010+
D048/02CS
D048/02CS
SM6T220CR
X3C22E1-03SR
AGB3303RS24Q1
MVC01610
GAL16V8B-15LP
GAL16V8D-25LP
GAL16V8D-25LPN
規格
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 20V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 30A（Ta），100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 1.95 毫歐 @ 50A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 1.2V @ 350μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 85nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 13000pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.8W（Ta），104W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PG-TDSON-8-1
封裝/外殼 8-PowerTDFN
TONY.ZOU（鄒澤凱）
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