SPD08P06P
- 發布時間：2020/7/9 15:10:58
- 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
- 公 司：深圳市金嘉銳電子有限公司
- 聯 系 人：朱先生
SPD08P06P屬性
- MOSFET
- TO-252-3
- Infineon Technologies
SPD08P06P描述
標準包裝 2,500
包裝 標準卷帶
類別 分立半導體產品
產品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單個
系列 SIPMOS®
規格
FET 類型 P 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 60V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 8.83A（Ta）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 300 毫歐 @ 6.2A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 13nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 420pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 42W（Tc）
工作溫度 -
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 PG-TO252-3
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
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聯系方式
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