FDA59N30
FDA59N30屬性
- 價優
- TO-3P-3,SC-65-3
- ON
FDA59N30描述
ON Semiconductor
標準包裝450
MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P
制造商ON Semiconductor
系列UniFET™包裝管件
零件狀態在售FET 類型N 溝道技術MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss)300V電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)59A(Tc)驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值)56 毫歐 @ 29.5A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)5V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值)100nC @ 10VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)4670pF @ 25VFET
功能-功率耗散(最大值)500W(Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型通孔
供應商器件封裝TO-3PN
封裝/外殼TO-3P-3,SC-65-3
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