IXTY2N60P

IXTY2N60P屬性

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IXTY2N60P描述

ESAD33-02N
ESAD33-02C
IXTY2N80P
IXTY2N60P
STGB20NB41LZT4
STGB20NB32LZ-1
STGB20NB41LZ
STGB20NB37LZT4
STGB20NB37LZ
STGB20NB32LZ
IPB085N06LG
IXFT20N80P
LF60CV
2SK2834-01
IRF4905S
IRF4905
LM338K
B861
IXTK102N30P
IRF4905
IRF4905S
IRF4905L
IXTK100N25P
IXTK102N30P
2SK2165
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2SK2162
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STTH506B-TR
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2SK643
2SK2166-01R
2SK2165-01
SSR2955TF
STTH506B-TR
STTH506B
BD140
TOP100YN
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VF20120SG
VF20100SG
FGA180N30D
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TIC201D
TIC201S
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STGD3NB60SD
STGD3NB60SD-1
USD4530C
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HAL506 40A
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IPI057N08N3G
J585
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BTS941
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VN06
DN2540N5
KSH41C
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J651
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TP801C06
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IRL1404S
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2SK3610-01
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T810-600B-TR
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BUL1403ED
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DGSK32-018CS
D2101
FYPF0545S
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BTS425L1
BTS425L1
K2628LS
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IRLI2505
2N3906
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2SD1594
SSS7N80A
STGP6NC60HD
FESF8DT
SPI20N65C3
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2SJ495
IRF744
UES3010S
UES3015S
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UES3015C
RURG30120
2SA1301
NTB25P06T4G
NTB25P06T4
NTB25P06G
NTB25P06
NTB75N06LG
NTB75N03RG
NTB75N03RT4G
NTB75N03-6T4G
NTB75N06T4
規格
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 600V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 5.1 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 7nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 240pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 55W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼 TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
TONY.ZOU（鄒澤凱）
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