IXTH80N65X2

IXTH80N65X2屬性

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IXTH80N65X2描述

制造商: IXYS
產品種類: MOSFET
RoHS:無鉛環保
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續漏極電流: 80 A
Rds On-漏源導通電阻: 38 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.7 V
Qg-柵極電荷: 137 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
通道模式: Enhancement
商標名: HiPerFET
封裝: Tube
配置: Single
晶體管類型: 1 N-Channel
商標: IXYS
下降時間: 7 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 11 ns
工廠包裝數量: 30
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 72 ns
典型接通延遲時間: 36 ns
單位重量: 6 g


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