SIHG73N60E-GE3

SIHG73N60E-GE3屬性

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SIHG73N60E-GE3描述

制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS:無鉛環保
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 73 A
Rds On-漏源導通電阻: 39 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 241 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 520 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
高度: 20.82 mm
長度: 15.87 mm
系列: E
寬度: 5.31 mm
商標: Vishay / Siliconix
下降時間: 120 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 105 ns
工廠包裝數量: 500
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 290 ns
典型接通延遲時間: 63 ns
單位重量: 6 g




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