FDN5618P

發布時間：2021/9/6 11:10:42
所屬類別：集成電路 » 集成電路
公司：深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁小姐

FDN5618P屬性

本站價格：
用途：
規格：0
市場價格：
生產廠家：ON/安森美

FDN5618P描述

安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SSOT-3
晶體管極性: P-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 1.2 A
Rds On-漏源導通電阻: 170 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3 V
Qg-柵極電荷: 13.8 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
通道模式: Enhancement
商標名: PowerTrench
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時間: 8 ns
正向跨導 - 最小值: 4.3 S
高度: 1.12 mm
長度: 2.9 mm
產品: MOSFET Small Signal
產品類型: MOSFET
上升時間: 8 ns
系列: FDN5618P
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 16.5 ns
典型接通延遲時間: 6.5 ns
寬度: 1.4 mm
零件號別名: FDN5618P_NL
單位重量: 30 mg