IPD30N10S3L-34
- 發布時間：2021/9/18 14:09:55
- 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
- 公 司：深圳市百潤電子有限公司
- 聯 系 人：梁小姐
IPD30N10S3L-34屬性
- 0
- INFINEON
IPD30N10S3L-34描述
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-252-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 30 A
Rds On-漏源導通電阻: 31 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 24 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 57 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 3 ns
高度: 2.3 mm
長度: 6.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 4 ns
系列: OptiMOS-T
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 18 ns
典型接通延遲時間: 6 ns
寬度: 6.22 mm
零件號別名: SP000261248 IPD3N1S3L34XT IPD30N10S3L34ATMA1
單位重量: 330 mg
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- 安裝風格: Through Hole 封裝 / 箱體: TO-220-3 晶體管極性: N-Channel 通道數量:
聯系方式
- 聯系人：梁小姐
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