SI4166DY-T1-GE3

SI4166DY-T1-GE3屬性

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SI4166DY-T1-GE3描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SO-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 30.5 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.9 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V
Qg-柵極電荷: 65 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 6.5 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Single
高度: 1.75 mm
長度: 4.9 mm
產品類型: MOSFET
系列: SI4
工廠包裝數量: 2500
子類別: MOSFETs
寬度: 3.9 mm
零件號別名: SI4166DY-GE3
單位重量: 187 mg

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