SQJ940EP-T1_GE3
- 發布時間：2021/9/30 11:14:41
- 所屬類別：其他未分類 » 其他未分類
- 公 司：深圳市百潤電子有限公司
- 聯 系 人：梁小姐
SQJ940EP-T1_GE3屬性
- 0
- Vishay
SQJ940EP-T1_GE3描述
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerPAK-SO-8-4
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續漏極電流: 15 A, 18 A
Rds On-漏源導通電阻: 13.3 mOhms, 5.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V
Qg-柵極電荷: 20 nC, 48 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 48 W, 43 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay / Siliconix
配置: Dual
下降時間: 4.9 ns, 13.5 ns
正向跨導 - 最小值: 64 S, 102 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 9.3 ns, 9.5 ns
系列: SQ
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 15.6 ns, 47 ns
典型接通延遲時間: 4.8 ns, 7.7 ns
單位重量: 506.600 mg
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