SI1029X-T1-GE3

SI1029X-T1-GE3屬性

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SI1029X-T1-GE3描述

產品屬性 屬性值 搜索類似
制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SC-89-6
晶體管極性: N-Channel, P-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 500 mA
Rds On-漏源導通電阻: 1.4 Ohms, 4 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 750 pC, 1.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 280 mW
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay Semiconductors
配置: Dual
正向跨導 - 最小值: 200 mS, 100 mS
高度: 0.6 mm
長度: 1.66 mm
產品類型: MOSFET
系列: SI1
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型關閉延遲時間: 20 ns, 35 ns
典型接通延遲時間: 15 ns, 20 ns
寬度: 1.2 mm
零件號別名: SI1029X-GE3
單位重量: 32 mg

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