2SK3065T100
2SK3065T100屬性
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- ROHM
2SK3065T100描述
制造商: ROHM Semiconductor
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-89-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 2 A
Rds On-漏源導通電阻: 350 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 800 mV
Qg-柵極電荷: -
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降時間: 70 ns
高度: 1.5 mm
長度: 4.5 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 50 ns
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: MOSFET
典型關閉延遲時間: 120 ns
典型接通延遲時間: 20 ns
寬度: 2.5 mm
單位重量: 130.500 mg